| 型号： | NSS20200LT1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANSISTOR PNP 4A 20V SOT-23 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| NSS20200LT1G PDF |  |
| 产品培训模块 | Low Vce(sat) BJT Power Savings |
| 产品目录绘图 | Transistor SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 180mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 250 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大 | 460mW |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1562 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | NSS20200LT1GOSDKR |